Activités III-Vs
Les différentes technologies et services Soitec™ et ainsi que l’expérience unique de Soitec dans l’ingénierie des matériaux, ont permis de positionner Soitec comme un leader technologique pour apporter des solutions industrielles pour ces produits avancés, et répondre aux attentes et aux besoins du marché. C’est dans cette logique qu’en avril 2003, Soitec rachète les actifs de la société Picogiga et crée Picogiga International SAS, filiale à 100 % de Soitec SA. Cette acquisition permet l’introduction de la technologie Smart Cut™ dans le domaine des matériaux non-silicium que constituent les matériaux composés ou III-Vs employés dans les applications radio-fréquence des systèmes sans fil (téléphone cellulaire, WiFi), et dans les applications optoélectroniques.
Picogiga International est désormais une division du groupe Soitec focalisée sur le développement et la fabrication des semi-conducteurs composés pour des applications telles que télécommunications et automobile, aérospatiale, défense, électronique grand public, mais aussi éclairage et maîtrise de l’énergie.
En 2004, Picogiga International a introduit une famille de produits dédiés à la fabrication de composants hyperfréquence de forte puissance : les alliages de nitrure de gallium épitaxiés par jet moléculaire sur substrat de silicium monocristallin. Ces structures destinées à la fabrication de Transistors à Très Haute Mobilité (HEMTs/High Electron Mobility Transistors) permettent de combiner les hautes performances du matériau GaN aux qualités du silicium monocristallin, standard de l’industrie des semi-conducteurs, utilisé comme substrat silicium. Ces nouvelles structures AlGaN/GaN vont permettre aux HEMTs d’atteindre des performances exceptionnelles en terme de densité de courant, de tenue en tension ainsi que de vitesse de commutation. Les applications hyperfréquence de puissance visées sont celles des stations de base de téléphonie mobile 3G ou les radars bande K.
Les compétences de Picogiga dans le domaine de l’épitaxie par jet moléculaire ont d’ailleurs permis le développement du Transistor à Très Haute Mobilité (HEMT) le plus puissant au monde, fabriqué à partir de structures à base d’alliage de nitrure de gallium épitaxié par jet moléculaire sur substrat de silicium monocristallin.
En 2005, le Groupe a annoncé une avancée technologique grâce à la technologie Smart Cut™ en réalisant le transfert d’un film mince monocristallin de nitrure de gallium sur substrat isolant. Cette avancée ouvre des perspectives nouvelles pour le développement de diodes électroluminescentes bleues et blanches de forte luminosité, ainsi que pour l’amélioration des composants radio fréquences (RF) de puissance.
Pour plus d’informations sur l’activité III-Vs du Groupe Soitec, vous pouvez vous connecter sur le site www.picogiga.com