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AUTO FD-SOI

Soyez moteur de l'innovation

Projets européens pour l'innovation

OCEAN12

Avec le ralentissement de la loi de Moore, les substrats FD-SOI apportent des solutions innovantes qui dépassent les exigences du marché.

Le FD-SOI est la technologie idéale pour les radars et les processeurs automobiles et industriels. Le FD-SOI combine les performances des technologies RF avancées avec l’efficacité énergétique des meilleures technologies digitales, offrant une plateforme idéale pour l’intégration SOC. Sa proposition de valeur unique comprend un fonctionnement robuste contre le vieillissement avec un contrôle adaptatif du corps. Cela permet de répondre à l'exigence stricte de ppm dans l'automobile et l'industrie.

Le FD-SOI présente de nombreux avantages au niveau des applications :

Fiabilité

Le FD-SOI présente des chiffres de fiabilité exceptionnels pour les applications automobiles et aérospatiales, améliorant jusqu’à 100 fois le taux de soft error rate.

Efficacité énergétique

La technologie surpasse les technologies sur silicium massif et Finfet en terme d’effectivité énergétique pour un nœud technologique donné.

Ampli de Puissance

Grâce à la technologie FD-SOI, les PA pour les radars automobiles présentent des puissances de sortie plus élevées avec une meilleure efficacité sur toute la plage de température (-40°C / 150°C).

Amélioration par
100
du taux d'erreur de calcul
Amélioration par
10
de l’efficacité énergétique
< 1dBm
le minimum variation PA

Les plaques FD-SOI reposent sur deux innovations principales:

  • Tout d'abord, une couche ultra-mince d'isolant, appelée oxyde enterré, est positionnée au-dessus du support en silicium.
  • Deuxièmement, une couche de silicium supérieure ultra-mince est utilisée pour former le canal du transistor

L'architecture FD-SOI à couche ultra-mince permet aux transistors de fonctionner en mode totalement déplété, offrant une solution de « Shrink-on-Chip électrique » tout en simplifiant le processus de fabrication.

Les caractéristiques des plaques FD-SOI :

  • Couche ultra-mince de silicium allant de 12 nm à 15 nm
  • Couche ultra-mince d’oxyde allant de 15 à 25 nm
  • Plaquettes produites en 300mm
  • Uniformité et rugosité validée au niveau atomique
  • Faible défectivité

La technologie FD-SOI offre un équilibre optimal entre performances numériques, signaux mixtes, consommation d'énergie et coût.

Soitec produit des plaquettes FD-SOI pour les nœuds technologiques de 65 nm à 12 nm, permettant des fonctionnalités ultra-faible consommation, un compromis coût/performance unique, une haute fiabilité et une intégration de signaux mixtes hautes performances pour une large gamme d'applications.