La technologie FD-SOI présente des fréquences de coupure plus élevées que les technologies Bulk et Finfet.
Avec le ralentissement de la loi de Moore, les substrats FD-SOI apportent des solutions innovantes qui dépassent les exigences du marché.
Le FD-SOI présente de nombreux avantages au niveau des applications:
La technologie surpasse les technologies sur silicium massif et Finfet en terme d’effectivité énergétique pour un nœud technologique donné.
L’ensemble des blocs analogiques sont plus rapides en FD-SOI avec un gain plus élevé à même densité de courant ainsi qu’un bruit plus faible.
Les plaques FD-SOI reposent sur deux innovations principales:
- Tout d'abord, une couche ultra-mince d'isolant, appelée oxyde enterré, est positionnée au-dessus du support en silicium.
- Deuxièmement, une couche de silicium supérieure ultra-mince est utilisée pour former le canal du transistor
L'architecture FD-SOI à couche ultra-mince permet aux transistors de fonctionner en mode totalement déplété, offrant une solution de « Shrink-on-Chip électrique » tout en simplifiant le processus de fabrication.
Les caractéristiques des plaques FD-SOI :
- Couche ultra-mince de silicium allant de 12 nm à 15 nm
- Couche ultra-mince d’oxyde allant de 15 à 25 nm
- Plaquettes produites en 300mm
- Uniformité et rugosité validée au niveau atomique
- Faible défectivité
La technologie FD-SOI offre un équilibre optimal entre performances numériques, signaux mixtes, consommation d'énergie et coût.
Soitec produit des plaquettes FD-SOI pour les nœuds technologiques de 65 nm à 12 nm, permettant des fonctionnalités ultra-faible consommation, un compromis coût/performance unique, une haute fiabilité et une intégration de signaux mixtes hautes performances pour une large gamme d'applications.