Au fil des années, nos smartphones nous ont permis de passer de l'envoi de simples messages textes à la transmission vidéo en direct.
La 5G bouleverse l’écosystème des communications sans fil en connectant les utilisateurs à un nouvel univers d’objets connectés mobiles et nomades, créant de nouvelles expériences rendues possibles par une capacité de réseau mobile sans précédent permettant d’échanger des volumes de données à la demande à des niveaux record de faible latence.
Les smartphones intègrent des fonctions très variées : émission et réception radio, traitement numérique, mémoire, audio, gestion de batterie, appareil photo, affichage, etc. Le module front-end permet l'émission et la réception des signaux radiofréquences (RF) entre le téléphone cellulaire et la station de base.
Les exigences en termes de performance et le nombre de composants des modules front-end augmentent à chaque nouvelle génération de smartphones. Nos produits RF-SOI apportent une meilleure linéarité et des pertes d'insertion plus faibles au meilleur rapport coût/performance.
Ils permettent ainsi d’obtenir des vitesses de transfert de données plus élevées, des durées de vie de batteries plus longues et une réduction d'appels interrompus.
Nos substrats RF-SOI sont produits en forts volumes et sont devenus une référence pour les fabricants de modules RF front-end : ils leur permettent de fabriquer des circuits intégrés qui répondent aussi bien à leurs exigences de performance qu’à leurs attentes en termes de coût.
Nos produits RF-SOI sont caractérisés par de hautes performances RF sur film de silicium, compatibles avec les procédés CMOS standard, une linéarité, une isolation RF et des signaux de puissance élevés, une diminution des pertes RF dans le substrat l'intégration des traitements numériques et de la gestion de puissance.
Ils répondent au spectre complet des différentes exigences de performance.
Pour les composants exigeants en termes de linéarité.
Notre gamme RFeSi est particulièrement bien adaptée aux spécifications LTE avancée et 5G et répond à différentes exigences de performance.
Une couche « Trap Rich » est ajoutée sous l'oxyde enterré pour une performance RF élevée.
Pour les composants exigeants en termes d'intégration et sensible au coût.
Notre substrat iFEM-SOI est particulièrement bien adapté aux spécifications Wi-Fi, IoT et autres applications grand public.
Une couche "Trap Rich" de fabrication simplifiée permet un compromis entre performance RF et coût total du composant.
Pour les composants moins exigeants en termes de linéarité et intégration.
Nos produits HR-SOI permettent de satisfaire les spécifications 2G et 3G.