Connect RFeSI™ SOI
Nos plaques RFeSI™ SOI intègrent un matériau d'avant-garde (une couche « Trap Rich ») entre la couche hautement résistive (HR) du substrat support et l'oxyde enterré (BOx). Elles améliorent de façon significative les performances RF des circuits intégrés fabriqués sur ces plaques.
Ces plaques RFeSI™ SOI permettent d’atteindre des performances encore plus élevées que celles obtenues avec les plaques HR-SOI :
- Linéarité accrue
- Pertes RF plus faibles
- Diaphonie plus faible
- Facteurs de qualité renforcés pour les éléments passifs
- Taille de puce plus petite
- Conductivité thermique accrue
Nous mesurons sur les produits RFeSI™ le facteur de qualité harmonique (HQF), un paramètre de corrélation de l'atténuation de la seconde harmonique (HD2) le long d'un guide d'onde coplanaire. Ceci permet de garantir la performance RF du substrat.
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Notre gamme RFeSI™ est conçue pour répondre à tous vos besoins. Nous commercialisons aujourd'hui les produits RFeSI80 et RFeSI90.
Caractéristiques de nos plaques RFeSI™ :
- Compatibilité avec les spécifications 4G LTE, 5G et Wi-Fi
- Large gamme d’épaisseur des couches supérieures en silicium produites grâce à notre technologie Smart Cut™