Le FD-SOI est une technologie ultra basse consommation avec des tensions de fonctionnement descendant jusqu’à 0,4 V pour de multiples applications dans lesquelles la consommation d'énergie par opération est minimale.
La technologie surpasse les technologies sur silicium massif et Finfet en terme d’effectivité énergétique pour un nœud technologique donné.
Body bias est un levier très puissant pour la compensation des variabilités PVTA et l'amélioration des performances.
Les substrats FD-SOI reposent sur deux innovations principales:
L'architecture FD-SOI à couche ultra-mince permet aux transistors de fonctionner en mode totalement déplété, offrant une solution de « Shrink-on-Chip électrique » tout en simplifiant le processus de fabrication.
Les caractéristiques des plaques FD-SOI :
La technologie FD-SOI offre un équilibre optimal entre performances numériques, signaux mixtes, consommation d'énergie et coût.
Soitec produit des plaquettes FD-SOI pour les nœuds technologiques de 65 nm à 10 nm, permettant des fonctionnalités ultra-faible consommation, un compromis coût/performance unique, une haute fiabilité et une intégration de signaux mixtes hautes performances pour une large gamme d'applications.