PHOTONICS-SOI
Notre technologie Smart Cut™ de silicium sur isolant (SOI), appliquée à la photonique et aux réseaux optiques, propose de nouvelles solutions révolutionnaires permettant d’atteindre des débits de données élevés, à un coût optimisé, pour une large gamme d’applications dans le domaine de la communication des données.
Notre ligne de produits Smart Photonics SOI exploite notre technologie dédiée Photonics-SOI pour des applications de transmission de données, conjuguant des fonctions optiques novatrices avec des circuits électroniques de petite taille. Les produits Smart Photonics SOI sont également utilisés pour des applications liées à la détection en trois dimensions, au suivi médical, aux Lidar ou à l’informatique quantique.
La technologie Silicon Photonics permet aux plateformes d’atteindre les meilleurs ratios pJ/bit/mm² en matière de transmission des données. La technologie CMOS permet la production en grandes quantités d’émetteurs-récepteurs à haut débit, ainsi qu’une évolution vers des transmissions optiques de données pour une interconnexion puce à puce à un coût compétitif.
La photonique sur silicium ouvre une nouvelle ère en proposant des débits de données élevés et des solutions à la fois économiques et efficaces.
LES FONDAMENTAUX DE LA PHOTONIQUE SUR SILICIUM
Aux longueurs d'onde SWIR, la couche supérieure de silicium cristallin de la plaquette SOI devient transparente. Les concepteurs peuvent ensuite modeler cette couche mince pour obtenir des guides d'ondes optiques submicrométriques utilisés pour véhiculer des signaux à des fréquences optiques. De plus, les gaines supérieure et inférieure en oxyde fournissent un fort confinement optique, nécessaire pour mettre en œuvre un grand ensemble de dispositifs optiques intégrés dans un petit facteur de forme.
Un substrat Photonics-SOI type est caractérisé par: une couche d’oxyde enterré de 2µm avec une couche supérieure de silicium de 220nm
Soitec propose des variations de simples SOI en 200 mm et 300 mm de diamètre ainsi que des doubles SOI :
- Couche supérieure de silicium de grande homogénéité : de 0,1 μm à 20 μm (épitaxiée)
- Couche d’oxyde enterré (BOX) : 50 nm à 3 μm
- Couche du substrat support hautement résistive
- Faible niveau de micro-défauts du substrat support
Principales performances du matériau
- Meilleure homogénéité des couches SOI et d’oxyde enterré (BOX)
- Surface sans défaut
- Faible rugosité des interfaces en silicium
- Couche de haute qualité cristalline
Avantages utilisateur
- Intégrité du signal avec guide d’ondes à faibles pertes
- Qualité du signal avec confinement optique optimal
- Forte immunité RF
- Intégration monolithique complexe des blocs photoniques
Les substrats photoniques basés sur SOI et obtenus grâce à la technologie propriétaire SmartCut™ tirent parti de la couche de silicium cristallin atomiquement plane et homogène permettant l’acheminement de la lumière via des guides d’ondes optiques à l’échelle sous-micrométrique.